Инженеры АО «НИИЭТ» разработали транзисторы для сетей 5G

За семь лет работы инженеры АО "НИИЭТ" добились создания высокоэффективных транзисторных структур и изготовили на их основе серию сверхвысокочастных транзисторов для нижнего диапазона частот 4 – 5 ГГц сетей 5G.
Мировой опыт по производству компонентов микроэлектроники на основе гетероструктур нитрида галлия с высокой подвижностью электронов показал преимущества этого материала, который уже активно заменяет обычный кремний и арсенид галлия благодаря более высоким значениям удельной выходной мощности на высоких рабочих частотах. До сих пор массовому применению данного материала препятствовала его высокая стоимость и несовершенство.
Теперь инженеры и технологи смогли повысить качество гетероструктур нитрида галлия почти до бездефектного уровня и создать на его основе устройства, работающие до десяти гигагерц и выше с максимальной выходной мощность в сотни ватт для оптимального применения в сетях 5G.
Кроме применения нового материала специалисты предприятия разработали дискретные транзисторы на десятки и сотни ватт с цепями предсогласования, а также усилители мощности, выполненные по гибридной технологии с габаритными размерами, сравнимыми с обычной USB-флешкой. Достигнутые результаты, а также продолжающиеся работы по расширению номенклатуры изделий и созданию силовых приборов на нитриде галлия для комплектования источников питания с повышенным КПД планируется активно внедрять при построении аппаратуры, обеспечивающей высокоэффективное функционирование сетей 5G.